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Si3812DV
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10
V GS = 4.5 V thru 3.5 V
10
T C = - 55 °C
8
6
4
2
0
3V
2.5 V
2V
1.5 V
8
6
4
2
0
25 °C
125 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
0.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
300
250
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
200
0.3
V GS = 2.5 V
150
0.2
100
0.1
0.0
V GS = 4.5 V
50
0
C oss
C rss
0
1
2
3
4
5
6
7
0
4
8
12
16
20
4.5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
3.6
V DS = 10 V
I D = 2.4 A
1.6
V GS = 4.5 V
I D = 2.4 A
1.4
2.7
1.2
1.8
1.0
0.9
0.0
0.8
0.6
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 71069
S11-0651-Rev. G, 11-Apr-11
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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